我们的镀层材料能够在微孔和超细RDL中实现无空洞的快速铜沉积,适用于2.5D/3D先进封装及MEMS器件的应用。所沉积的铜层有机残留物极低,可保持优异的导电性,并在高频应用中最大限度减少电迁移。
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